Samsung a annoncé qu’il a maintenant commencé la production en série de sa nouvelle DRAM DDR5 EUV 14 nm, cette nouvelle RAM DDR5 est 20% plus efficace.
La nouvelle DRAM DDR5 EUV 14 nm est livrée avec une vitesse allant jusqu’à 7,2 gigabits par seconde, soit plus de deux fois la vitesse de leur RAM DDR4.
Samsung Electronics, le leader mondial de la technologie de mémoire avancée, a annoncé aujourd’hui qu’il a commencé à produire en masse la plus petite DRAM de 14 nanomètres (nm) du secteur basée sur la technologie ultraviolet extrême (EUV). Suite à la livraison par la société de la première DRAM EUV du secteur en mars de l’année dernière, Samsung a augmenté le nombre de couches EUV à cinq pour fournir le processus DRAM le plus perfectionné et le plus avancé d’aujourd’hui pour ses solutions DDR5.
« Nous sommes leader sur le marché de la DRAM depuis près de trois décennies en mettant au point des innovations technologiques clés en matière de modélisation », a déclaré Jooyoung Lee, vice-président senior et responsable des produits et de la technologie DRAM chez Samsung Electronics. «Aujourd’hui, Samsung franchit une nouvelle étape technologique avec l’EUV multicouche qui a permis une miniaturisation extrême à 14 nm – un exploit impossible avec le procédé conventionnel au fluorure d’argon (ArF). Sur la base de cette avancée, nous continuerons à fournir les solutions de mémoire les plus différenciées en répondant pleinement au besoin de performances et de capacités accrues dans le monde axé sur les données de la 5G, de l’IA et du métaverse. »
Vous pouvez trouver plus de détails sur la nouvelle DRAM DDR5 EUV Samsung 14 nm chez Samsung en cliquant sur le lien ci-dessous.
La source Samsung
Certains de nos articles incluent des liens d’affiliation. Si vous achetez quelque chose via l’un de ces liens, lilypop peut gagner une commission d’affiliation. .
