Ce mois-ci, Silicon Power a dévoilé son nouveau module de mémoire UDIMM doté de la dernière technologie DDR5 offrant des vitesses allant jusqu’à 4800 MHz, une combinaison parfaite pour les processeurs multicœurs offrant une réactivité extrême et la puissance d’effectuer plusieurs tâches de manière transparente, déclare Silicon Power.
“Même avec toute sa puissance supplémentaire, ce module DDR5 améliore son prédécesseur avec régulation de tension sur module. Un circuit intégré de gestion de l’alimentation (PMIC) réduit la charge sur le contrôle de la carte mère et se traduit par une tension inférieure de 1,1 V contre 1,2 V pour la DDR4 pour une consommation d’énergie encore moindre. Poussant encore plus loin la vitesse, la capacité et la fiabilité, la technologie de pointe de ce module DDR5 offre un avantage de niveau supérieur pour les performances de votre système. Avec des vitesses agressives de 4800 MHz, il est 1,5 fois plus rapide que la DDR4 standard à 3200 MHz pour fournir aux processeurs multicœurs une réactivité extrême et la puissance d’effectuer plusieurs tâches de manière transparente.
UDIMM DDR5 Silicon Power
– Capacité de l’unité de puce doublée par rapport à la DDR4 (de 16 Go à 32 Go) pour un multitâche transparent
– Fiabilité améliorée par rapport à la DDR4 avec le code de correction d’erreur sur matrice (ECC)
– Efficacité optimisée avec deux canaux 32 bits indépendants par module
– Performances de calcul élevées avec le double des banques et le double de la longueur de rafale par rapport à la DDR4
– 4800 MHz offre des vitesses de transmission plus rapides et une bande passante plus élevée que la DDR4
– Disponible en densités de module de 8 Go, 16 Go et 32 Go
– Plus de 2 fois plus rapide que la DDR4 pour fournir des processeurs multicœurs avec une réactivité extrême
– Capacité de l’unité de puce doublée par rapport à la DDR4 (de 16 Go à 32 Go) pour un multitâche transparent
– Basse tension de 1.1V pour moins de consommation d’énergie
– Fiabilité améliorée par rapport à la DDR4 avec le code de correction d’erreur sur matrice (ECC)
– Efficacité optimisée avec deux canaux 32 bits indépendants par module
– Performances de calcul élevées avec le double des banques et le double de la longueur de rafale par rapport à la DDR4
– Compatible avec les processeurs Intel Core de 12e génération prenant en charge les cartes mères compatibles DDR5 et DDR5
“Comparé à la capacité de l’unité de puce de 16 Go de DDR4, ce module DDR5 double ce nombre à 32 Go en emballant plus de banques et de groupes de banques. Cela permet d’ouvrir plus de pages à la fois afin que vous puissiez augmenter votre productivité sans vous soucier du ralentissement de votre système dû à l’ouverture simultanée d’un trop grand nombre d’onglets. Ce n’est pas tout ce qui est doublé – la longueur de rafale minimale sur ce module DDR5 est jusqu’à 16, contre 8 pour DDR4. Cela améliore l’efficacité du bus de données, fournissant deux fois plus de données sur le bus, et par conséquent réduit le nombre de lectures/écritures pour accéder à la même ligne de données de cache.
« Ce module DDR5 introduit On-Die ECC (Error Correction Code), une nouvelle fonctionnalité conçue pour corriger les erreurs de bits en temps réel dans la puce DRAM. Ce faisant, cette technologie avancée maintient votre système stable de manière fiable tout en corrigeant automatiquement les erreurs de données. Pour encore plus de performances, ce module DDR5 dispose de deux canaux 32 bits indépendants par module. Par rapport au canal unique de la DDR4, le diviser en deux augmente l’efficacité et réduit les latences des accès aux données pour le contrôleur de mémoire afin de favoriser une efficacité optimisée.
