Samsung a annoncé le lancement de son nouveau module de mémoire CXL de 512 Go avec le lancement de la première DRAM Compute Express Link de 512 Go du secteur.
Le nouveau Samsung 512 Go CXL est conçu pour fournir une capacité de mémoire élevée avec une faible latence dans les systèmes informatiques, vous pouvez voir plus de détails ci-dessous.
La nouvelle DRAM CXL est construite avec un contrôleur CXL de circuit intégré spécifique à l’application (ASIC) et est la première à contenir 512 Go de DRAM DDR5, offrant quatre fois la capacité de mémoire et un cinquième de la latence du système par rapport à l’offre Samsung CXL précédente.
« CXL DRAM deviendra un tournant critique pour les futures structures informatiques en faisant progresser considérablement l’intelligence artificielle (IA) et les services de mégadonnées, alors que nous étendons de manière agressive son utilisation dans les architectures de mémoire de nouvelle génération, y compris la mémoire définie par logiciel (SDM) », a déclaré Cheolmin. Park, vice-président des ventes et du marketing mondiaux de la mémoire chez Samsung Electronics et directeur du consortium CXL. “Samsung continuera de collaborer dans l’ensemble de l’industrie pour développer et standardiser les solutions de mémoire CXL, tout en favorisant un écosystème de plus en plus solide.”
« En tant que membre actif du Consortium CXL, Lenovo s’engage à développer cette norme importante et à aider à construire l’écosystème autour de la nouvelle interconnexion CXL », a déclaré Greg Huff, directeur de la technologie, Lenovo Infrastructure Solutions Group. “Nous sommes ravis de faire partie du programme de développement CXL de Samsung, travaillant à favoriser la croissance et l’adoption de produits CXL innovants dans les futurs systèmes Lenovo.”
Vous pouvez trouver plus d’informations sur le nouveau module de mémoire Samsung 512 Go CXL sur le site Web de Samsung au lien ci-dessous.
La source Samsung
