Samsung a annoncé qu’il avait commencé la production de puces de 3 nm en utilisant son nœud de processus de 3 nanomètres (nm) appliquant l’architecture de transistor Gate-All-Around (GAA).
La société a déclaré que le processeur 3 nm optimisé produit une consommation d’énergie réduite de 45 %, des performances améliorées de 23 % et une surface 16 % plus petite.
“Samsung a connu une croissance rapide alors que nous continuons à faire preuve de leadership dans l’application des technologies de nouvelle génération à la fabrication, telles que le premier High-K Metal Gate de l’industrie de la fonderie, FinFET, ainsi que l’EUV. Nous cherchons à poursuivre ce leadership avec le premier procédé 3 nm au monde avec le MBCFET™», a déclaré le Dr Siyoung Choi, président et responsable de l’activité Fonderie chez Samsung Electronics. “Nous continuerons d’innover activement dans le développement de technologies compétitives et de construire des processus qui aideront à accélérer la maturité de la technologie.”
La technologie propriétaire de Samsung utilise des nanofeuilles avec des canaux plus larges, qui permettent des performances plus élevées et une plus grande efficacité énergétique par rapport aux technologies GAA utilisant des nanofils avec des canaux plus étroits. En utilisant la technologie GAA 3 nm, Samsung sera en mesure d’ajuster la largeur de canal de la nanofeuille afin d’optimiser la consommation d’énergie et les performances pour répondre aux divers besoins des clients.
De plus, la flexibilité de conception de GAA est très avantageuse pour la co-optimisation de la technologie de conception (DTCO),1 ce qui aide à augmenter les avantages de la puissance, des performances et de la surface (PPA). Par rapport au processus 5nm, le processus 3nm de première génération peut réduire la consommation d’énergie jusqu’à 45%, améliorer les performances de 23% et réduire la surface de 16% par rapport au 5nm, tandis que le processus 3nm de deuxième génération consiste à réduire la consommation d’énergie jusqu’à à 50 %, améliorez les performances de 30 % et réduisez la surface de 35 %.
Vous pouvez trouver plus de détails sur la nouvelle production de puces 3 nm de Samsung sur le site Web de la société au lien ci-dessous.
La source Samsung
